本例采用第三種方法，即在驅(qū)動(dòng)變壓器的各繞組間加繞屏蔽層，其結(jié)構(gòu)如圖3所示，共5個(gè)繞組和5個(gè)屏蔽層。整個(gè)變壓器包括屏蔽層從左向右逐層繞制，N1接到控制回路的地;兩個(gè)下管驅(qū)動(dòng)繞組由于電位變化不大，同時(shí)與N2連接，實(shí)際上是接到了功率地;N3和N4將上管繞組NA包了起來(lái)，并與NA的異名端相接;N5將繞組ND與NA隔離。 　　這樣每個(gè)繞組都和它的屏蔽層同電位，它們之間不會(huì)有容性電流。當(dāng)上管TA導(dǎo)通、上管繞組NA的電位跳升時(shí)，屏蔽層N3和N4的電位也要同樣跳變，由于N2和N3之間的分布電容，這個(gè)跳變將在這兩個(gè)屏蔽層中間產(chǎn)生電流，但對(duì)管子的驅(qū)動(dòng)沒(méi)有影響，只是會(huì)耗損一點(diǎn)主功率。 　　在實(shí)際電路中采用了加電磁屏蔽的驅(qū)動(dòng)變壓器之后，問(wèn)題得到了全部解決。需要提出的是，屏蔽的作用是將各個(gè)繞組隔離開(kāi)，以避免分布電容的不良影響。因此屏蔽層接到什么地方，是需要慎重考慮的，否則可能適得其反。如果圖3中的NN4不與NA相接，而是與N2一起接到功率地，則電容分布如圖4所示，CC7分別表示繞組NA的上下端與屏蔽層N3間，也就是功率地間的分布電容(實(shí)際上CC7分別是包含了圖2中、C1后的等效電容)。 　　當(dāng)NA輸出正脈沖的上升沿時(shí)，TA迅速導(dǎo)通，M點(diǎn)電位跳升，于是CC7中要有容性電流產(chǎn)生。M是低阻抗點(diǎn)，電流iC7對(duì)它的電位影響不大，但N點(diǎn)卻是高阻抗點(diǎn)，iC6電流將降低它的電位，可能使TA管關(guān)斷。因此不能采用這種連接方式。

　　隨著國(guó)民經(jīng)濟(jì)的發(fā)展迅速對(duì)電力的需求也日趨上升，作為輸變電系統(tǒng)中的主要設(shè)備——變壓器也得到了長(zhǎng)足的發(fā)展。為適應(yīng)和滿足市場(chǎng)需求，家不斷地改進(jìn)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品性能，從國(guó)外引進(jìn)的生產(chǎn)和裝備，在新工藝新材料的探索方面做了不懈的努力，以此來(lái)不斷產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性，已經(jīng)了長(zhǎng)足的進(jìn)步。 　　另一方面，在全球化競(jìng)爭(zhēng)中，雖然在小容量方面已經(jīng)擁有相當(dāng)?shù)膶?shí)力，并在市場(chǎng)中占有重要的地位，但是在高容量、超高容量變壓器方面，的實(shí)力還非常薄弱，這就造成了發(fā)達(dá) 高容量、超高容量變壓器市場(chǎng)無(wú)法進(jìn)入的情況，這將阻礙變壓器行業(yè)今后的發(fā)展，需要引起高度的。 　　為降低負(fù)載損耗，需要多用銅材或采用換位導(dǎo)線等措施;為降低空載損耗，采用降低磁密，就多用硅鋼片或采用好的硅鋼片等，這樣就增加變壓器造成本，相應(yīng)的銷(xiāo)售價(jià)格也增加，這就要考慮多花的錢(qián)需要多長(zhǎng)的運(yùn)行才能收回來(lái)(即回收年限)。 　　變壓器的損耗包括空載損耗和負(fù)載損耗?！艾F(xiàn)在許多配電變壓器生產(chǎn)企業(yè)利益熏心，交貨的變壓器容量遠(yuǎn)遠(yuǎn)不足。用戶原本采購(gòu)的是1000千伏安變壓器，但在交貨時(shí)卻只有900千伏安，有甚者只有800千伏安。雖然可以滿足小區(qū)平時(shí)的生活用電，然而至用電高峰時(shí)，電力消耗加大，變壓器必將超負(fù)荷運(yùn)行，自然會(huì)故障不斷。