我國的碳鋼不銹鋼復(fù)合管市場是世界上發(fā)展快、市場需求的之一。由于內(nèi)襯不銹鋼復(fù)合衛(wèi)生、技術(shù)可靠、性能優(yōu)良，其發(fā)展勢頭非常強勁，目前已大量用于冷熱水及直飲水管道系統(tǒng)。

碳鋼不銹鋼復(fù)合管號稱省心的自來水管道。以常用的304碳鋼不銹鋼復(fù)合管為例，其抗拉強度為550--800Mpa，是鍍鋅管的2倍，銅管的3倍，PPR的10--15倍；延伸率大于35%。碳鋼不銹鋼復(fù)合管盡管內(nèi)層的不銹鋼僅有0.3-0.8mm，也完全能夠達到強度的要求，因此符合節(jié)材節(jié)能的環(huán)保產(chǎn)業(yè)政策。

碳鋼不銹鋼復(fù)合管熱導(dǎo)率為12.5 W/m℃(100℃)，是碳鋼管的1/5，銅管的1/30。碳鋼不銹鋼復(fù)合管由于保溫性能好，還適用與熱水輸送，無論是保溫層的厚度，還是保溫結(jié)構(gòu)的施工、維修費用等，碳鋼不銹鋼復(fù)合管都有較好的經(jīng)濟性。

碳鋼不銹鋼復(fù)合管的的內(nèi)外層熱膨脹系數(shù)幾乎相同，所以在緊密結(jié)合之后無論輸送冷熱水都不會發(fā)生剝離現(xiàn)象。由于碳鋼不銹鋼復(fù)合管的耐高溫性能好，可以冷熱水通用。

碳鋼不銹鋼復(fù)合管壽命周期成本是水管中經(jīng)濟性的?；窘ㄔO(shè)的經(jīng)驗表明，項目除一次性投資外，維護成本和更新成本實際上是一筆巨大的成本，甚至?xí)h遠超過初始的投資。我國基本建設(shè)的投資概念：由靜態(tài)→動態(tài)→壽命周期成本發(fā)展過程，特別是對大工程尤為重要，對建筑給水管說來，一次性投資占總造價比例極少，但如選材不當(dāng)，不能與建筑物同壽命，其維護，更新費用也是不可小覷的。壽命周期成本=初始成本（含材料、加工和安裝）+設(shè)備運行成本（含維護、更新和拆除）。而碳鋼不銹鋼復(fù)合管在水管的壽命周期成本為，但是碳鋼不銹鋼復(fù)合管的初期成本包括材料及工程費在內(nèi)只比塑料管、鋼塑復(fù)合管高約20%，但是由于使用過程中成本的節(jié)約，碳鋼不銹鋼復(fù)合管高出的初始費用早已被這諸多優(yōu)勝所抵消，使碳鋼不銹鋼復(fù)合管成為壽命周期成本，經(jīng)濟的管材。因為碳鋼不銹鋼復(fù)合管一經(jīng)使用，在100年內(nèi)的壽命周期內(nèi)不需要更換，而其他管材無法達到這么長的使用壽命，只要在建筑物70年的壽命期內(nèi)更換一次，其綜合成本將至少是碳鋼不銹鋼復(fù)合管管水管初始投資的3～5倍。

不銹鋼復(fù)合管欄桿主要用于橋梁、公路建設(shè)中的護欄，該欄桿的主要優(yōu)點如下：不生垢、耐腐蝕。由于鋼中含有18%的鉻，在使用過程中管道內(nèi)壁形成一層極薄的氧化鉻薄膜，該薄膜阻止金屬繼續(xù)氧化，故不銹鋼復(fù)合管欄桿有很強的耐腐蝕性能，不僅能承受水和空氣的腐蝕，而且可以承受弱酸弱堿的腐蝕.低溫脆性好，膨脹系數(shù)小.一般采用焊接 螺栓的方式進行連接。
從形式上看，欄桿可分為節(jié)間式與連續(xù)式兩種。前者由立柱，扶手及橫擋組成，扶手支撐于立柱上；后者具有連續(xù)的扶手，由扶手，欄桿柱及底座組成。常見種類有：木制欄桿、石欄桿、不銹鋼欄桿、鑄鐵欄桿、鑄造石欄桿、水泥欄桿、組合式欄桿。一般低欄高0.2～0.3米，中欄0．8～0．9米，高欄1．1～1.3米。欄桿柱的間矩一般為0.5～2米。
化學(xué)成分不銹鋼不銹鋼的耐蝕性隨含碳量的增加而降低，因此，大多數(shù)不銹鋼的含碳量均較低，不超過1.2%，有些鋼的Wc（含碳量）甚至低0.03%（00Cr12）。不銹鋼中的主要合金元素是Cr（鉻），只有當(dāng)Cr含量達到一定值時，鋼才有耐蝕性。因此，不銹鋼一般Cr（鉻）含量至少為10.5%。不銹鋼中還含有Ni、Ti、Mn、N、Nb、Mo、Si、Cu等元素。
不銹鋼的耐蝕性隨含碳量的增加而降低，因此，大多數(shù)不銹鋼的含碳量均較低，不超過1.2%，有些鋼的Wc（含碳量）甚至低于0.03%（如00Cr12）。不銹鋼中的主要合金元素是Cr（鉻），只有當(dāng)Cr含量達到一定值時，鋼才有耐蝕性。因此，不銹鋼一般Cr（鉻）含量至少為10.5%。不銹鋼中還含有Ni、Ti、Mn、N、Nb、Mo、Si、Cu等元素。

雙金屬復(fù)合耐磨管具有很好的電學(xué)性質(zhì)和均勻性,測試結(jié)果表明雙金屬復(fù)合耐磨管具有很好的電學(xué)性質(zhì)和均勻性 ,而 PP- SI的均勻性和電學(xué)參數(shù)都很差 .在 IP- SI樣品的 PL譜中出現(xiàn)與深缺陷有關(guān)的熒光峰.光激電流譜的測量結(jié)果表明 :在 IP氣氛下退火獲得的半絕緣磷化銦中的缺陷明顯比 PP- SI磷化銦的要少 .并對退火后磷化銦中形成缺陷的機理進行了探討分析研究了一些缺陷對InP單晶襯底的影響。