本文意在解決高錳鋼在低應(yīng)力條件下耐磨性較差的缺點(diǎn),同時(shí)滿足其在高應(yīng)力沖擊下保持較好的沖擊韌性,開展了高錳鋼表面等離子熔覆FeCoNiCrMnTix高熵合金涂層的探索,研究了高65錳鋼板錳鋼表面等離子熔覆FeCoNiCrMnTix高熵合金涂層后,以及對FeCoNiCrMnTix高熵合金涂層/高錳鋼基體進(jìn)行時(shí)效處理后的組織與性能的演變,探明Ti元素的添加以及時(shí)效處理對于FeCoNiCrMn系高熵合金涂層組織與性能的影響,為后續(xù)在高錳鋼表面制備出能夠承受高低應(yīng)沖擊高熵合金耐磨涂層提供參考。

  試驗(yàn)結(jié)果表明:FeCoNiCrMnTix高熵合金涂層在熔覆后表層晶粒結(jié)構(gòu)為等軸晶,同時(shí)有少量共晶組織產(chǎn)生,熔覆層中部為樹枝晶,與基體接觸的熔覆層底部為胞狀晶;在時(shí)效后熔覆層整體的等軸晶增多,相應(yīng)的樹枝晶和胞狀晶有所減少。熔覆后FeCoNiCrMnTix的物相構(gòu)成比較單一穩(wěn)定,65mn冷軋鋼板當(dāng)x=0的時(shí)候熔覆層的物相組成由單一的FCC相組成,主要相為Fe0.64Ni0.36,當(dāng)Ti元素加入后,有BCC相Co3Ti產(chǎn)生,且新相Co3Ti的峰值也隨Ti元素的增多而提高。在時(shí)效過后熔覆層的物相組成沒有很大差別,Co3Ti析出物有了明顯的增多,峰值也有了明顯的提高。整體上各個(gè)試樣的硬度從熔覆層到熱影響區(qū)再到基體呈下降趨勢。

  65mn錳冷軋鋼板熔覆后的涂層硬度由表至里變化趨勢略下降;時(shí)效處理后的涂層硬度由表至里的下降趨勢不明顯,涂層的硬度較為平均,且時(shí)效處理前后的試樣 硬度值都隨Ti含量的增多而。其中基體的硬度值在220.4HV左右,熔覆后的高熵合金涂層 硬度值為344.5HV。時(shí)效處理后FeCoNiCrMnTi0.5高熵合金涂層的 硬度值為469.7HV。

2）選取機(jī)械性能 的兩種材料65mn錳冷軋鋼板0Si退火10min試樣、0.6Si退火30min試樣）,在1×10-4/s～1×10-1/s的應(yīng)變速率下進(jìn)行實(shí)驗(yàn),機(jī)械性能和斷裂行為的研究表明:隨著應(yīng)變速率的增加,由于TRIP效應(yīng)被抑制,0Si和0.6Si的抗拉強(qiáng)度和延伸率均大幅度降低,且0.6Si的延伸率降低的更快,比如:0Si的延伸率由44%下降至33%,0.6Si的延伸率由55%下降至35%。隨著應(yīng)變速率的增加,0Si的斷面收縮率基本不變（約為70%）,0.6Si的斷面收縮率大約由51%增加至72%。應(yīng)變速率并未影響0Si和0.6Si的斷裂行為。然而,隨著應(yīng)變速率的降低,表面裂紋的形核數(shù)量增加,擴(kuò)展速率降低;斷口的韌窩尺寸降低,二次裂紋數(shù)量和尺寸增加。

（3）選取四種材料（0Si和0.6Si均退火3min和30min試樣）,65錳鋼板系統(tǒng)的研究了成分和退火時(shí)間對氫脆性能和氫致斷裂行為的影響。關(guān)于退火時(shí)間:隨著退火時(shí)間的增加,0Si和0.6Si的氫脆敏感性均呈現(xiàn)上升趨勢,比如:當(dāng)退火3min時(shí),0Si/0.6Si的塑性損失和強(qiáng)度損失分別為13.5%/46.7%和0.0%/1.7%;當(dāng)退火30min時(shí),0Si/0.6Si的塑性損失和強(qiáng)度損失分別為79.2%/76.5%和26.8%/6.3%。關(guān)于成分:退火3min時(shí),0Si的氫脆敏感性較低;退火30min時(shí),0.6Si的氫脆敏感性較低。相比空拉斷裂行為而言,氫原子促進(jìn)裂紋更容易形核與擴(kuò)展,進(jìn)而導(dǎo)致材料提前斷裂。對于0Si:裂紋形核與氫原子無關(guān),但是,氫致裂紋呈沿晶和穿晶擴(kuò)展。對于0.6Si:裂紋形核與擴(kuò)展與氫原子無關(guān),斷口則由細(xì)小的韌窩變?yōu)榇嘈詼?zhǔn)解理。

5）在不劣化市售馬氏體材料（S0）65mn錳冷軋鋼板機(jī)械性能的基礎(chǔ)上,二次回火不同時(shí)間（30min,60min,120min）,試樣分別記為 S30、S60 和 S120,發(fā)現(xiàn),二次回火工藝可以有效地提高其抗氫脆性能,如下:S0和S60的塑性損失和強(qiáng)度損失分別為100.0%/79.3%和35.9%/1.7%。二次回火試樣抗氫脆性能高的原因如下:1、不可逆氫陷阱MoyCx析出物的長大;2、滲碳體/基體界面的增加;滲碳體/基體應(yīng)變界面具有較高的陷阱能;3、位錯(cuò)密度的降低。