光催化是常溫深度反應技術。光催化氧化可在室溫下將水、空氣和土壤中有機污染物完全氧化成無害的產(chǎn)物，而傳統(tǒng)的高溫焚燒技術則需要在極高的溫度下才可將污染物摧毀，即使用常規(guī)的催化、氧化方法亦需要高溫,燃燒法用于處理高濃度Voc與有惡臭的化合物很有效，其原理是用過量的空氣使這些雜質燃燒，大多數(shù)生成二氧化碳和水蒸氣，可以排放到大氣中。但當處理含氯和含硫的有機化合物時，燃燒生成產(chǎn)物中HCl或SO2，需要對燃燒后氣體進一步處理設備。 從理論上講，只要半導體吸收的光能不小于其帶隙能，就足以激發(fā)產(chǎn)生電子和空穴，該半導體就有可能用作光催化劑,常見的單一化合物光催化劑多為金屬氧化物或硫化物，如 Ti0。、Zn0、ZnS、CdS及PbS等。這些催化劑各自對特定反應有突出優(yōu)點，具體研究中可根據(jù)需要選用，如CdS半導體帶隙能較小，跟太陽光譜中的近紫外光段有較好的匹配性能，可以很好地利用自然光能，但它容易發(fā)生光腐蝕，使用壽命有限。相對而言，Ti02的綜合性能較好，是廣泛使用和研究的單一化合物光催化劑。

VOC廢氣處理設備 反應塔內裝填特制的固態(tài)填料，填料內部復配多介質催化劑。當惡臭氣體在引風機的作用下穿過填料層，與通過特制噴嘴呈發(fā)散霧狀噴出的液相復配氧化劑在固相填料表面充分接觸，并在多介質催化劑的催化作用下，惡臭氣體中的污染因子被充分分解。適用范圍：適用范圍廣，尤其適用于處理大氣量、中高濃度的廢氣，對疏水性污染物質有很好的去除率。優(yōu)點：占地小，投資低，運行成本低；管理方便，即開即用。缺點：耐沖擊負荷，不易污染物濃度及溫度變化影響，需消耗一定量的藥劑。 低溫等離子體是繼固態(tài)、液態(tài)、氣態(tài)之后的物質第四態(tài)，當外加電壓達到氣體的著火電壓時，氣體分子被擊穿，產(chǎn)生包括電子、各種離子、原子和自由基在內的混合體。放電過程中雖然電子溫度很高，但重粒子溫度很低，整個體系呈現(xiàn)低溫狀態(tài)，所以稱為低溫等離子體。低溫等離子體降解污染物是利用這些高能電子、自由基等活性粒子和廢氣中的污染物作用，使污染物分子在極短的時間內發(fā)生分解，并發(fā)生后續(xù)的各種反應以達到降解污染物的目的。