光催化是常溫深度反應技術。光催化氧化可在室溫下將水、空氣和土壤中有機污染物完全氧化成無害的產(chǎn)物，而傳統(tǒng)的高溫焚燒技術則需要在極高的溫度下才可將污染物摧毀，即使用常規(guī)的催化、氧化方法亦需要高溫,燃燒法用于處理高濃度Voc與有惡臭的化合物很有效，其原理是用過量的空氣使這些雜質燃燒，大多數(shù)生成二氧化碳和水蒸氣，可以排放到大氣中。但當處理含氯和含硫的有機化合物時，燃燒生成產(chǎn)物中HCl或SO2，需要對燃燒后氣體進一步處理設備。 從理論上講，只要半導體吸收的光能不小于其帶隙能，就足以激發(fā)產(chǎn)生電子和空穴，該半導體就有可能用作光催化劑,常見的單一化合物光催化劑多為金屬氧化物或硫化物，如 Ti0。、Zn0、ZnS、CdS及PbS等。這些催化劑各自對特定反應有突出優(yōu)點，具體研究中可根據(jù)需要選用，如CdS半導體帶隙能較小，跟太陽光譜中的近紫外光段有較好的匹配性能，可以很好地利用自然光能，但它容易發(fā)生光腐蝕，使用壽命有限。相對而言，Ti02的綜合性能較好，是廣泛使用和研究的單一化合物光催化劑。

常見的產(chǎn)生等離子體的方法是氣體放電，所謂氣體放電是指通過某種機制使一電子從氣體原子或分子中電離出來，形成的氣體媒質稱為電離氣體，如果電離氣由外電場產(chǎn)生并形成傳導電流，這種現(xiàn)象稱為氣體放電。根據(jù)放電產(chǎn)生的機理、氣體的壓j源性質以及電極的幾何形狀、氣體放電等離子體主要分為以下幾種形式：①輝光放電；③介質阻擋放電；④射頻放電；⑤微波放電。無論哪一種形式產(chǎn)生的等離子體，都需要高壓放電。容易打火產(chǎn)生危險。由于對諸如氣態(tài)污染物的治理，一般要求在常壓下進行。 特點：① 不需要高成本的化學藥劑，運行穩(wěn)定，耐腐蝕，耐負荷沖擊能力大。② 針對特定有害氣體成份馴化適當?shù)奈⑸?，提高單位容積的負荷率。③ 填料采用有機無機混合填料，比表面積大，孔隙率高，并可為微生物提供營養(yǎng)，可支撐大量不同種群微生物群。④ 填料活性介質的損失小、可減少能耗，降低運行費用。采用強化自然生物降解污染物，無二次污染物產(chǎn)生。VOC去除率高，對H2S的去除率可達99%。 PLC控制系統(tǒng)自動運行，無需人員管理設備。