本例采用第三種方法，即在驅(qū)動變壓器的各繞組間加繞屏蔽層，其結(jié)構(gòu)如圖3所示，共5個(gè)繞組和5個(gè)屏蔽層。整個(gè)變壓器包括屏蔽層從左向右逐層繞制，N1接到控制回路的地;兩個(gè)下管驅(qū)動繞組由于電位變化不大，同時(shí)與N2連接，實(shí)際上是接到了功率地;N3和N4將上管繞組NA包了起來，并與NA的異名端相接;N5將繞組ND與NA隔離。 　　這樣每個(gè)繞組都和它的屏蔽層同電位，它們之間不會有容性電流。當(dāng)上管TA導(dǎo)通、上管繞組NA的電位跳升時(shí)，屏蔽層N3和N4的電位也要同樣跳變，由于N2和N3之間的分布電容，這個(gè)跳變將在這兩個(gè)屏蔽層中間產(chǎn)生電流，但對管子的驅(qū)動沒有影響，只是會耗損一點(diǎn)主功率。 　　在實(shí)際電路中采用了加電磁屏蔽的驅(qū)動變壓器之后，問題得到了全部解決。需要提出的是，屏蔽的作用是將各個(gè)繞組隔離開，以避免分布電容的不良影響。因此屏蔽層接到什么地方，是需要慎重考慮的，否則可能適得其反。如果圖3中的NN4不與NA相接，而是與N2一起接到功率地，則電容分布如圖4所示，CC7分別表示繞組NA的上下端與屏蔽層N3間，也就是功率地間的分布電容(實(shí)際上CC7分別是包含了圖2中、C1后的等效電容)。 　　當(dāng)NA輸出正脈沖的上升沿時(shí)，TA迅速導(dǎo)通，M點(diǎn)電位跳升，于是CC7中要有容性電流產(chǎn)生。M是低阻抗點(diǎn)，電流iC7對它的電位影響不大，但N點(diǎn)卻是高阻抗點(diǎn)，iC6電流將降低它的電位，可能使TA管關(guān)斷。因此不能采用這種連接方式。

　　采用三維CAD設(shè)計(jì)就更少了。只有真正意義上的CAD，才能有效降低設(shè)計(jì)成本和設(shè)計(jì)效率并保證設(shè)計(jì)質(zhì)量。三西格瑪質(zhì)量水平要求的缺陷率為0.27%，即合格率為973%，更不用說六個(gè)西格瑪質(zhì)量水平了，它要求的缺陷率為百萬分之三點(diǎn)四，幾乎是零缺陷。 　　變壓器有的時(shí)候會產(chǎn)生一些小毛病，但是我們在物理學(xué)中也學(xué)習(xí)過錯(cuò)誤和誤差，一般來講，什么是錯(cuò)誤，什么是誤差我們要分辨清楚，其實(shí)變壓器也是有誤差的，這不算是錯(cuò)誤，但是由于變壓器的嚴(yán)重到一定程度就是錯(cuò)誤了，必須要進(jìn)一步去改進(jìn)了。 　　我們來看看變壓器都是由哪些誤差1)小電流運(yùn)行時(shí)，既低負(fù)荷運(yùn)行，由于負(fù)荷電流較小，這樣勵(lì)磁電流就不能忽略，這樣如果直接根據(jù)關(guān)系0=I1*W1+I2*W2來求I1就不準(zhǔn)確了。所以變壓器一般都會給一個(gè)精度等級，這就和材料有關(guān)系了，材料越好，產(chǎn)生相同的磁通需要的電流就越小，既勵(lì)磁電流就可以很小，這樣自然就了測量的精度。 　　2)大電流運(yùn)行時(shí)，由于某些原因使變壓器工作進(jìn)入飽和區(qū)，其實(shí)飽和不飽和并不是因?yàn)殡娏鞔缶惋柡?，而是?lì)磁電流大才會飽和，比如CT在線路故障時(shí)一次側(cè)有大電流，超出了變壓器容量，則超出部分就會變?yōu)閯?lì)磁電流引起變壓器飽和，這時(shí)變壓器精度同樣變差了。