不過在碼放的時候也要遵從一定的原則，否則有可能會使鋼管形成損壞，或者取用的時候帶來不便。碼放不銹鋼復(fù)合管復(fù)合管的首要原則就是穩(wěn)定和。不銹鋼復(fù)合管復(fù)合管碼垛的下邊應(yīng)該做好保護(hù)，好是鋪上木材做成的底座，避免讓鋼管直接接觸地面，除了可以起到保護(hù)作用，避免長期對方使下層的鋼管變形，還能夠防止地上的積水對鋼管產(chǎn)生腐蝕。
不銹鋼復(fù)合管復(fù)合管碼放的高度不應(yīng)該過高，否則很容易增加危險，同時也容易對下層的鋼管形成更大的壓力，從而導(dǎo)致變形的產(chǎn)生。不銹鋼復(fù)合鋼管是以碳鋼基層與不銹鋼覆層結(jié)合而成的復(fù)合板鋼板,它的主要特點(diǎn)是碳鋼和不銹鋼形成牢固的冶金結(jié)合,可以進(jìn)行熱壓、冷彎、切割、焊接等各種加工。
不銹鋼復(fù)合鋼管不僅具有不銹鋼的耐腐蝕性、又具有碳鋼良好的機(jī)械強(qiáng)度和加工性能，是新型的工業(yè)產(chǎn)品，廣泛用于石油、化工、鹽業(yè)、水利電力、食品加工等行業(yè)。不銹鋼復(fù)合鋼管和同類產(chǎn)品相比結(jié)合強(qiáng)度更高、質(zhì)量更可靠、性能更穩(wěn)定、結(jié)構(gòu)更完美的新一代綠色環(huán)保型產(chǎn)品。而且不銹鋼復(fù)合鋼管有著很優(yōu)異的性能：良好的機(jī)械性能;超高的結(jié)合強(qiáng)度。
防銹耐腐蝕性好;四、耐溫性能佳，耐溫范圍-40～150℃，冷熱兩用。雙金屬復(fù)合耐磨管具有很好的電學(xué)性質(zhì)和均勻性，測試結(jié)果表明雙金屬復(fù)合耐磨管具有很好的電學(xué)性質(zhì)和均勻性 ,而 PP- SI的均勻性和電學(xué)參數(shù)都很差 .在 IP- SI樣品的 PL譜中出現(xiàn)與深缺陷有關(guān)的熒光峰.光激電流譜的測量結(jié)果表明 :在 IP氣氛下退火獲得的半絕緣磷化銦中的缺陷明顯比 PP- SI磷化銦的要少 .
并對退火后磷化銦中形成缺陷的機(jī)理進(jìn)行了探討分析研究了一些缺陷對InP單晶襯底的影響。 深能級瞬態(tài)譜(DLTS),X射線衍射等方法分別研究了退火前后雙金屬復(fù)合耐磨管材料的性質(zhì)和缺陷.結(jié)果表明受高溫?zé)峒ぐl(fā)作用部分鐵原子由替位轉(zhuǎn)變?yōu)樘钕?導(dǎo)致InP材料缺少深能級補(bǔ)償中心而發(fā)生導(dǎo)電類型轉(zhuǎn)變.通過比較摻雜.

不銹鋼復(fù)合管欄桿主要用于橋梁、公路建設(shè)中的護(hù)欄，該欄桿的主要優(yōu)點(diǎn)如下：不生垢、耐腐蝕。由于鋼中含有18%的鉻，在使用過程中管道內(nèi)壁形成一層極薄的氧化鉻薄膜，該薄膜阻止金屬繼續(xù)氧化，故不銹鋼復(fù)合管欄桿有很強(qiáng)的耐腐蝕性能，不僅能承受水和空氣的腐蝕，而且可以承受弱酸弱堿的腐蝕.低溫脆性好，膨脹系數(shù)小.一般采用焊接 螺栓的方式進(jìn)行連接。
從形式上看，欄桿可分為節(jié)間式與連續(xù)式兩種。前者由立柱，扶手及橫擋組成，扶手支撐于立柱上；后者具有連續(xù)的扶手，由扶手，欄桿柱及底座組成。常見種類有：木制欄桿、石欄桿、不銹鋼欄桿、鑄鐵欄桿、鑄造石欄桿、水泥欄桿、組合式欄桿。一般低欄高0.2～0.3米，中欄0．8～0．9米，高欄1．1～1.3米。欄桿柱的間矩一般為0.5～2米。
化學(xué)成分不銹鋼不銹鋼的耐蝕性隨含碳量的增加而降低，因此，大多數(shù)不銹鋼的含碳量均較低，不超過1.2%，有些鋼的Wc（含碳量）甚至低0.03%（00Cr12）。不銹鋼中的主要合金元素是Cr（鉻），只有當(dāng)Cr含量達(dá)到一定值時，鋼才有耐蝕性。因此，不銹鋼一般Cr（鉻）含量至少為10.5%。不銹鋼中還含有Ni、Ti、Mn、N、Nb、Mo、Si、Cu等元素。
不銹鋼的耐蝕性隨含碳量的增加而降低，因此，大多數(shù)不銹鋼的含碳量均較低，不超過1.2%，有些鋼的Wc（含碳量）甚至低于0.03%（如00Cr12）。不銹鋼中的主要合金元素是Cr（鉻），只有當(dāng)Cr含量達(dá)到一定值時，鋼才有耐蝕性。因此，不銹鋼一般Cr（鉻）含量至少為10.5%。不銹鋼中還含有Ni、Ti、Mn、N、Nb、Mo、Si、Cu等元素。

雙金屬復(fù)合耐磨管具有很好的電學(xué)性質(zhì)和均勻性,測試結(jié)果表明雙金屬復(fù)合耐磨管具有很好的電學(xué)性質(zhì)和均勻性 ,而 PP- SI的均勻性和電學(xué)參數(shù)都很差 .在 IP- SI樣品的 PL譜中出現(xiàn)與深缺陷有關(guān)的熒光峰.光激電流譜的測量結(jié)果表明 :在 IP氣氛下退火獲得的半絕緣磷化銦中的缺陷明顯比 PP- SI磷化銦的要少 .并對退火后磷化銦中形成缺陷的機(jī)理進(jìn)行了探討分析研究了一些缺陷對InP單晶襯底的影響。