屏蔽層NN4如改與NA的同名端相接，效果也不好。實(shí)際電路都是由非理想元件組成的，在設(shè)計(jì)中可能會(huì)遇到許多預(yù)料不到的情況。在調(diào)試如圖1所示的普通全橋電源時(shí)，輸出不是料想中平穩(wěn)的波形，而是不時(shí)發(fā)生間歇振蕩，并發(fā)出“吱吱”聲，有時(shí)甚至?xí)龤ч_(kāi)關(guān)管。 　　對(duì)電路進(jìn)行分析后未發(fā)現(xiàn)結(jié)構(gòu)上可能導(dǎo)致不的因素，于是改變輸出采樣的電壓比，將輸出調(diào)定在半電壓24V上，使用90V的輸入直流電壓，在保證功率管的情況下進(jìn)行調(diào)試。待電路工作正常后，再升高輸入直流電壓，經(jīng)過(guò)多次試驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)當(dāng)Ui為180～250V時(shí)就可能引發(fā)振蕩，后判定是驅(qū)動(dòng)變壓器各個(gè)繞組之間的分布電容在搗亂。 　　當(dāng)驅(qū)動(dòng)變壓器的繞組NA輸出正脈沖時(shí)NB輸出負(fù)脈沖，TA管由截止轉(zhuǎn)為飽和導(dǎo)通，于是TA管的源極即M點(diǎn)的電位急速升高，并通過(guò)電容C2NB繞組上端P的電位，升高的數(shù)值與兩個(gè)繞組的分布電容CCC3有關(guān)，還和P點(diǎn)到地的高頻阻抗以及M點(diǎn)電位上升的速度有關(guān)。 　　兩只開(kāi)關(guān)管的電容分布如圖2所示，其中C2是繞組NA的下端M與NB的上端P間的分布電容。如果的數(shù)值大于NB繞組自身的負(fù)脈沖幅度，就會(huì)引發(fā)TB管的瞬時(shí)導(dǎo)通，從而出現(xiàn)前面所述的間歇振蕩。其他各管導(dǎo)通時(shí)也會(huì)有類(lèi)似情況發(fā)生。

　　首先，成型性高，使用聚龍EMC的0可以一次成型，不需打磨、補(bǔ)休、上漿，而且外觀光滑、色彩亮麗。其次，線型熱膨脹系數(shù)低至44e-06(1/℃)。再次，具有低沉淀性，一方面表現(xiàn)在存放了6個(gè)月后，其沉淀仍低于10%的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)；另一方面表現(xiàn)在澆注時(shí)殘留在澆注設(shè)備壁上的沉淀也極少。 　　在市場(chǎng)上，這一特性極受追捧，因?yàn)樗鼮榭蛻舸蟠蠊?jié)約了成本。其次，復(fù)合無(wú)機(jī)填料具有合理配比。復(fù)合無(wú)機(jī)填料的配比和粒度分布對(duì)EMC的溢料性有很大的影響。聚龍化工科研人員不斷地在研究復(fù)合無(wú)機(jī)填料的 配比和粒度分布，以減少溢料。 　　經(jīng)過(guò)不懈的努力，聚龍化工研發(fā)出了擁有合理配比和粒度分布的EMC填料體系，可以大大減少EMC飛邊的產(chǎn)生，從而有效降低EMC的溢料性。第三，采用結(jié)晶型二氧化硅等高導(dǎo)熱填料。一般來(lái)說(shuō)，隨著填料的填充量的增加，EMC的熱導(dǎo)率會(huì)得到不斷的提高，而結(jié)晶型二氧化硅的熱導(dǎo)率又比熔融型的二氧化硅的熱導(dǎo)率高。 　　聚龍化工采用結(jié)晶型二氧化硅等高導(dǎo)熱填料，應(yīng)用高填充技術(shù)制備而成，有效提高了EMC的熱導(dǎo)率。生產(chǎn)出的EMC產(chǎn)品，完全能夠滿足大功率電氣產(chǎn)品對(duì)導(dǎo)熱率有較高的要求，不僅有利于變壓器類(lèi)產(chǎn)品的散熱與熱交換，而且可應(yīng)對(duì)短時(shí)負(fù)荷過(guò)大的嚴(yán)酷情況。