不銹鋼復(fù)合管護欄材料，具有優(yōu)良的綜合性能，合理的經(jīng)濟性。 不銹鋼復(fù)合管護欄，不銹鋼復(fù)合材料具有明顯的優(yōu)勢，在經(jīng)濟，與單金屬包層厚度比較小，還可以降低設(shè)計的厚度，這大大節(jié)約了投資金額。不銹鋼復(fù)合管護欄作為一種理想的結(jié)構(gòu)材料，適于石油精煉，石化，化工，電解鋁，輕工，食品，海水淡化，水利水電，核電。
如高能物理，環(huán)保，在基層廣泛應(yīng)用于工業(yè)爆炸的領(lǐng)域和包覆金屬復(fù)合材料比按設(shè)計，使用要求選定的厚度。金復(fù)合材料的特殊尺寸可通過協(xié)商確定，以滿足用戶的需求。不銹鋼是建筑用金屬材料中強度的材料。不銹鋼復(fù)合管由不銹鋼和碳素結(jié)構(gòu)鋼兩種金屬材料采用無損壓力同步復(fù)合成的新材料，兼具不銹鋼抗腐蝕耐磨和卓越美麗的外表.
以及碳素鋼良好的抗彎強度及抗沖擊性。不銹鋼的壓力加工特性為： 奧氏體鋼的軋制特點。鋼的導(dǎo)熱性低，1Cr18Ni9Ti的導(dǎo)熱系數(shù)僅為低碳鋼的27%，隨著溫度的升高，這種差別逐漸減少。此類鋼無組織應(yīng)力產(chǎn)生。不銹鋼是建筑用金屬材料中強度的材料。不銹鋼復(fù)合管由不銹鋼和碳素結(jié)構(gòu)鋼兩種金屬材料采用無損壓力同步復(fù)合成的新材料，兼具不銹鋼抗腐蝕耐磨和卓越美麗的外表，以及碳素鋼良好的抗彎強度及抗沖擊性。
不銹鋼的壓力加工特性為： 奧氏體鋼的軋制特點。鋼的導(dǎo)熱性低，1Cr18Ni9Ti的導(dǎo)熱系數(shù)僅為低碳鋼的27%，隨著溫度的升高，這種差別逐漸減少。此類鋼無組織應(yīng)力產(chǎn)生。在900-1250℃，這類鋼有良好的塑性。隨著溫度下降，變形抗力急劇增高，終軋溫度不應(yīng)低于850℃。
型鋼軋制中，這類鋼的寬展系數(shù)幾乎是碳鋼的1.5倍，又因為其變形抗力大，所以要采用小壓下量和孔型。 奧氏體鋼的調(diào)質(zhì)處理。奧氏體不銹鋼經(jīng)冷加工后達到的各種強度是根據(jù)調(diào)質(zhì)來分類的，而調(diào)質(zhì)的種類則是根據(jù)所規(guī)定的抗拉強度或屈服強度的小值，或者二者的小值來區(qū)分的。調(diào)質(zhì)的范圍從軟化退火型或退火加調(diào)質(zhì)軋制型到高張力型 馬氏體鋼的軋制特點。

不銹鋼復(fù)合管欄桿主要用于橋梁、公路建設(shè)中的護欄，該欄桿的主要優(yōu)點如下：不生垢、耐腐蝕。由于鋼中含有18%的鉻，在使用過程中管道內(nèi)壁形成一層極薄的氧化鉻薄膜，該薄膜阻止金屬繼續(xù)氧化，故不銹鋼復(fù)合管欄桿有很強的耐腐蝕性能，不僅能承受水和空氣的腐蝕，而且可以承受弱酸弱堿的腐蝕.低溫脆性好，膨脹系數(shù)小.一般采用焊接 螺栓的方式進行連接。
從形式上看，欄桿可分為節(jié)間式與連續(xù)式兩種。前者由立柱，扶手及橫擋組成，扶手支撐于立柱上；后者具有連續(xù)的扶手，由扶手，欄桿柱及底座組成。常見種類有：木制欄桿、石欄桿、不銹鋼欄桿、鑄鐵欄桿、鑄造石欄桿、水泥欄桿、組合式欄桿。一般低欄高0.2～0.3米，中欄0．8～0．9米，高欄1．1～1.3米。欄桿柱的間矩一般為0.5～2米。
化學(xué)成分不銹鋼不銹鋼的耐蝕性隨含碳量的增加而降低，因此，大多數(shù)不銹鋼的含碳量均較低，不超過1.2%，有些鋼的Wc（含碳量）甚至低0.03%（00Cr12）。不銹鋼中的主要合金元素是Cr（鉻），只有當(dāng)Cr含量達到一定值時，鋼才有耐蝕性。因此，不銹鋼一般Cr（鉻）含量至少為10.5%。不銹鋼中還含有Ni、Ti、Mn、N、Nb、Mo、Si、Cu等元素。
不銹鋼的耐蝕性隨含碳量的增加而降低，因此，大多數(shù)不銹鋼的含碳量均較低，不超過1.2%，有些鋼的Wc（含碳量）甚至低于0.03%（如00Cr12）。不銹鋼中的主要合金元素是Cr（鉻），只有當(dāng)Cr含量達到一定值時，鋼才有耐蝕性。因此，不銹鋼一般Cr（鉻）含量至少為10.5%。不銹鋼中還含有Ni、Ti、Mn、N、Nb、Mo、Si、Cu等元素。

雙金屬復(fù)合耐磨管具有很好的電學(xué)性質(zhì)和均勻性,測試結(jié)果表明雙金屬復(fù)合耐磨管具有很好的電學(xué)性質(zhì)和均勻性 ,而 PP- SI的均勻性和電學(xué)參數(shù)都很差 .在 IP- SI樣品的 PL譜中出現(xiàn)與深缺陷有關(guān)的熒光峰.光激電流譜的測量結(jié)果表明 :在 IP氣氛下退火獲得的半絕緣磷化銦中的缺陷明顯比 PP- SI磷化銦的要少 .并對退火后磷化銦中形成缺陷的機理進行了探討分析研究了一些缺陷對InP單晶襯底的影響。