擴(kuò)散和離子注入過程Fe原子的占位和情況分析了這一現(xiàn)象的機(jī)理和產(chǎn)生原因. 包括雙金屬復(fù)合耐磨管團(tuán)狀結(jié)構(gòu)位錯的產(chǎn)生及其對晶格完整性的影響,坑狀缺陷、晶片拋光損傷和殘留雜質(zhì)的清洗腐蝕等.對雙金屬復(fù)合耐磨管缺陷的形成原因和抑制途徑進(jìn)行了分析.在此基礎(chǔ)上獲得了“開盒即用(EPI-READY)”、具有良好晶格完整性、表面無損傷的InP單晶襯底拋光片.高溫退火后摻鐵半絕緣(SI)InP單晶轉(zhuǎn)變?yōu)閚型低阻材料.利用霍爾效應(yīng)(Hall),熱激電流譜(TSC)。
不銹鋼復(fù)合鋼管是以碳鋼基層與不銹鋼覆層結(jié)合而成的復(fù)合板鋼板,它的主要特點是碳鋼和不銹鋼形成牢固的冶金結(jié)合,可以進(jìn)行熱壓、冷彎、切割、焊接等各種加工。不銹鋼復(fù)合鋼管不僅具有不銹鋼的耐腐蝕性、又具有碳鋼良好的機(jī)械強(qiáng)度和加工性能，是新型的工業(yè)產(chǎn)品，廣泛用于石油、化工、鹽業(yè)、水利電力、食品加工等行業(yè)。
不銹鋼復(fù)合鋼管和同類產(chǎn)品相比結(jié)合強(qiáng)度更高、質(zhì)量更可靠、性能更穩(wěn)定、結(jié)構(gòu)更完美的新一代綠色環(huán)保型產(chǎn)品。浸漬法預(yù)處理：為使氧化皮松動，直接采用下列強(qiáng)酸。浸漬預(yù)處理：為防止酸對基體金屬的溶解，要嚴(yán)格控制酸浸時間和酸液溫度。電化學(xué)法：利用電化學(xué)溶解及電極上析出氣泡的機(jī)械作用剝離氧化皮。其優(yōu)點是腐蝕性較小，速度快。
管護(hù)欄具有比較高的強(qiáng)度。不銹鋼復(fù)合管護(hù)欄具有比較高的強(qiáng)度。不銹鋼復(fù)合管在儲存的時候應(yīng)該注意哪些問題，首先就是不銹鋼復(fù)合管復(fù)合管在保存的時候一定要避免和有腐蝕作用的化學(xué)品放在一起，如果泄露的話就會對不銹鋼復(fù)合管復(fù)合管產(chǎn)生侵蝕和破壞。不銹鋼復(fù)合管復(fù)合管在儲存的時候也應(yīng)該避免長時間浸在水里，不銹鋼復(fù)合管的銹蝕非常慢.
但如果時間與水接觸還是會影響到質(zhì)量。而通風(fēng)的目的就是為了避免不銹鋼復(fù)合管復(fù)合管長期處在潮濕的空氣里，能夠及時通風(fēng)的話就可以把潮氣排走。當(dāng)然在下雨應(yīng)該盡量做好防雨的工作。不銹鋼復(fù)合管復(fù)合管本身具有比較高的強(qiáng)度，因此通常都是采用堆垛碼放的。不過在碼放的時候也要遵從一定的原則，否則有可能會使鋼管形成損壞，或者取用的時候帶來不便。

不銹鋼復(fù)合管欄桿主要用于橋梁、公路建設(shè)中的護(hù)欄，該欄桿的主要優(yōu)點如下：不生垢、耐腐蝕。由于鋼中含有18%的鉻，在使用過程中管道內(nèi)壁形成一層極薄的氧化鉻薄膜，該薄膜阻止金屬繼續(xù)氧化，故不銹鋼復(fù)合管欄桿有很強(qiáng)的耐腐蝕性能，不僅能承受水和空氣的腐蝕，而且可以承受弱酸弱堿的腐蝕.低溫脆性好，膨脹系數(shù)小.一般采用焊接 螺栓的方式進(jìn)行連接。
從形式上看，欄桿可分為節(jié)間式與連續(xù)式兩種。前者由立柱，扶手及橫擋組成，扶手支撐于立柱上；后者具有連續(xù)的扶手，由扶手，欄桿柱及底座組成。常見種類有：木制欄桿、石欄桿、不銹鋼欄桿、鑄鐵欄桿、鑄造石欄桿、水泥欄桿、組合式欄桿。一般低欄高0.2～0.3米，中欄0．8～0．9米，高欄1．1～1.3米。欄桿柱的間矩一般為0.5～2米。
化學(xué)成分不銹鋼不銹鋼的耐蝕性隨含碳量的增加而降低，因此，大多數(shù)不銹鋼的含碳量均較低，不超過1.2%，有些鋼的Wc（含碳量）甚至低0.03%（00Cr12）。不銹鋼中的主要合金元素是Cr（鉻），只有當(dāng)Cr含量達(dá)到一定值時，鋼才有耐蝕性。因此，不銹鋼一般Cr（鉻）含量至少為10.5%。不銹鋼中還含有Ni、Ti、Mn、N、Nb、Mo、Si、Cu等元素。
不銹鋼的耐蝕性隨含碳量的增加而降低，因此，大多數(shù)不銹鋼的含碳量均較低，不超過1.2%，有些鋼的Wc（含碳量）甚至低于0.03%（如00Cr12）。不銹鋼中的主要合金元素是Cr（鉻），只有當(dāng)Cr含量達(dá)到一定值時，鋼才有耐蝕性。因此，不銹鋼一般Cr（鉻）含量至少為10.5%。不銹鋼中還含有Ni、Ti、Mn、N、Nb、Mo、Si、Cu等元素。

雙金屬復(fù)合耐磨管具有很好的電學(xué)性質(zhì)和均勻性,測試結(jié)果表明雙金屬復(fù)合耐磨管具有很好的電學(xué)性質(zhì)和均勻性 ,而 PP- SI的均勻性和電學(xué)參數(shù)都很差 .在 IP- SI樣品的 PL譜中出現(xiàn)與深缺陷有關(guān)的熒光峰.光激電流譜的測量結(jié)果表明 :在 IP氣氛下退火獲得的半絕緣磷化銦中的缺陷明顯比 PP- SI磷化銦的要少 .并對退火后磷化銦中形成缺陷的機(jī)理進(jìn)行了探討分析研究了一些缺陷對InP單晶襯底的影響。