不銹鋼為什么也會(huì)生銹？不銹鋼不易生銹？不銹鋼復(fù)合管的外皮是不銹鋼，為什么不銹鋼會(huì)生銹呢？當(dāng)不銹鋼表面出現(xiàn)褐色銹斑（點(diǎn)）的時(shí)候，人們大感驚奇：認(rèn)為“不銹鋼不會(huì)生銹的，生銹就不是不銹鋼了，可能是鋼質(zhì)出了問(wèn)題”。其實(shí)，這是對(duì)不銹鋼缺乏了解的一種片面的錯(cuò)誤看法。不銹鋼在一定條件下也會(huì)生銹的.
不銹鋼具有抵抗大氣氧化的能力一即不銹性，同時(shí)也具有在含酸、堿、鹽的介質(zhì)中耐腐蝕的能力即耐腐蝕性。但其抗腐蝕能力的大小是隨其鋼質(zhì)本身化學(xué)組成，相互狀態(tài)，使用條件及環(huán)境介質(zhì)類(lèi)型而改變的。如304材料，在干燥清潔的大氣中，有優(yōu)良的抗腐蝕能力，但將它移到海濱地區(qū)，在含有大量鹽分的海霧中，很快就會(huì)生銹的。
因此，不是任何一種不銹鋼，在任何時(shí)候都能耐腐蝕，不生銹的。不銹鋼是靠其表面形成的一層極薄而又堅(jiān)固細(xì)密的穩(wěn)定的富鉻氧化膜（防護(hù)膜），防止氧原子繼續(xù)滲入、繼續(xù)氧化，數(shù)控而獲得抗腐蝕的能力。一但有某種原因，這種薄膜遭到不斷的破壞，空氣或液體中和氧原子就會(huì)不斷滲入或金屬中鐵原子不斷地析離出來(lái)，形成疏松的氧化鐵，金屬表面也就受到不斷的銹蝕。
這種表面膜受到破壞的形式很多，日常生活中多見(jiàn)的有如下幾種：不銹鋼表面存積蓄含有其它金屬元素的粉塵或異類(lèi)金屬顆料的附著物，在潮濕的空氣中，附著物與不銹鋼間的冷凝水，將二者連成一個(gè)電池，引發(fā)了電化學(xué)反應(yīng)，保護(hù)膜受到破壞，稱(chēng)之謂電化學(xué)腐蝕。 不銹鋼表面粘附著有機(jī)物汁液（如瓜菜、面湯痰等），在有水氧情況下，構(gòu)成有機(jī)酸，長(zhǎng)時(shí)間則形成有機(jī)酸對(duì)金屬表面的腐蝕。
不銹鋼表面粘附含有酸、堿、鹽類(lèi)物質(zhì)（如裝修墻壁的堿水、石灰水噴測(cè)）引起局部腐蝕。 在有污染的空氣中（含有大量的硫化物、氧化物、氧化氫的大氣），遇冷凝水，形成硫酸、硝酸、醋酸液點(diǎn)，引起化學(xué)腐蝕。不銹鋼復(fù)合管護(hù)欄具有特殊性能如耐蝕性，耐熱性，耐磨損性?xún)蓚€(gè)包層的材料，并在基層與結(jié)構(gòu)強(qiáng)度和剛度要求。

不銹鋼復(fù)合管欄桿主要用于橋梁、公路建設(shè)中的護(hù)欄，該欄桿的主要優(yōu)點(diǎn)如下：不生垢、耐腐蝕。由于鋼中含有18%的鉻，在使用過(guò)程中管道內(nèi)壁形成一層極薄的氧化鉻薄膜，該薄膜阻止金屬繼續(xù)氧化，故不銹鋼復(fù)合管欄桿有很強(qiáng)的耐腐蝕性能，不僅能承受水和空氣的腐蝕，而且可以承受弱酸弱堿的腐蝕.低溫脆性好，膨脹系數(shù)小.一般采用焊接 螺栓的方式進(jìn)行連接。
從形式上看，欄桿可分為節(jié)間式與連續(xù)式兩種。前者由立柱，扶手及橫擋組成，扶手支撐于立柱上；后者具有連續(xù)的扶手，由扶手，欄桿柱及底座組成。常見(jiàn)種類(lèi)有：木制欄桿、石欄桿、不銹鋼欄桿、鑄鐵欄桿、鑄造石欄桿、水泥欄桿、組合式欄桿。一般低欄高0.2～0.3米，中欄0．8～0．9米，高欄1．1～1.3米。欄桿柱的間矩一般為0.5～2米。
化學(xué)成分不銹鋼不銹鋼的耐蝕性隨含碳量的增加而降低，因此，大多數(shù)不銹鋼的含碳量均較低，不超過(guò)1.2%，有些鋼的Wc（含碳量）甚至低0.03%（00Cr12）。不銹鋼中的主要合金元素是Cr（鉻），只有當(dāng)Cr含量達(dá)到一定值時(shí)，鋼才有耐蝕性。因此，不銹鋼一般Cr（鉻）含量至少為10.5%。不銹鋼中還含有Ni、Ti、Mn、N、Nb、Mo、Si、Cu等元素。
不銹鋼的耐蝕性隨含碳量的增加而降低，因此，大多數(shù)不銹鋼的含碳量均較低，不超過(guò)1.2%，有些鋼的Wc（含碳量）甚至低于0.03%（如00Cr12）。不銹鋼中的主要合金元素是Cr（鉻），只有當(dāng)Cr含量達(dá)到一定值時(shí)，鋼才有耐蝕性。因此，不銹鋼一般Cr（鉻）含量至少為10.5%。不銹鋼中還含有Ni、Ti、Mn、N、Nb、Mo、Si、Cu等元素。

雙金屬?gòu)?fù)合耐磨管具有很好的電學(xué)性質(zhì)和均勻性,測(cè)試結(jié)果表明雙金屬?gòu)?fù)合耐磨管具有很好的電學(xué)性質(zhì)和均勻性 ,而 PP- SI的均勻性和電學(xué)參數(shù)都很差 .在 IP- SI樣品的 PL譜中出現(xiàn)與深缺陷有關(guān)的熒光峰.光激電流譜的測(cè)量結(jié)果表明 :在 IP氣氛下退火獲得的半絕緣磷化銦中的缺陷明顯比 PP- SI磷化銦的要少 .并對(duì)退火后磷化銦中形成缺陷的機(jī)理進(jìn)行了探討分析研究了一些缺陷對(duì)InP單晶襯底的影響。