變壓器工作的時(shí)候需要二次側(cè)熔斷器，因?yàn)檫@樣是為了給變壓器一個(gè)電壓緩解的過(guò)程。幫助變壓器進(jìn)行自己的電壓輸送設(shè)置，這樣才能保證變壓器電壓不會(huì)發(fā)生短路甚至傷害變壓器電流的運(yùn)行。那么變壓器熔斷器是如何進(jìn)行變壓器電壓的呢主要的就是對(duì)變壓器輸出器的控制，這樣進(jìn)一步緩解變壓器的電流輸出。 　　下面小編給大家詳細(xì)介紹一下。熔斷器是指當(dāng)電流超過(guò)規(guī)定值時(shí)，以本身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷，斷開(kāi)電路的一種電器。熔斷器是根據(jù)電流超過(guò)規(guī)定值一段時(shí)間后，以其自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化，從而使電路斷開(kāi);運(yùn)用這種原理制成的一種電流保護(hù)器。 　　熔斷器廣泛應(yīng)用于高低壓配電系統(tǒng)和控制系統(tǒng)以及用電設(shè)備中，作為短路和過(guò)電流的保護(hù)器，是應(yīng)用普遍的保護(hù)器件之一。變壓器是利用電磁感應(yīng)的原理來(lái)改變交流電壓的裝置，主要構(gòu)件是初級(jí)線(xiàn)圈、次級(jí)線(xiàn)圈和鐵芯(磁芯)。主要功能有：電壓變換、電流變換、阻抗變換、隔離、穩(wěn)壓(磁飽和變壓器)等。 　　按用途可以分為：電力變壓器和特殊變壓器(電爐變、整流變、工頻試驗(yàn)變壓器、調(diào)壓器、礦用變、音頻變壓器、中頻變壓器、高頻變壓器、沖擊變壓器、儀用變壓器、電子變壓器、電抗器、互感器等)。電路符 常用T當(dāng)作編 的開(kāi)頭.例:T01,T201等。

　　詳細(xì)介紹SH15-M系列非晶合金變壓器為了廣大電力用戶(hù)對(duì)節(jié)能降耗的較高要求，本新推出一種損耗較低的非晶合金全密封變壓器。非晶合金變壓器是用非晶合金導(dǎo)磁材料鐵芯做成的一種新型變壓器。H15—M非晶合金油浸式變壓器可用于高層建筑、商業(yè)中心、地鐵、車(chē)站、工礦企業(yè)和發(fā)電廠(chǎng)，特別適用易燃、易爆和防火要求高的場(chǎng)所。 　　因此，非晶絡(luò)中的節(jié)能型配電設(shè)備.H-M-□/10能效系列非晶合金變壓器就是用非晶合金材料代替硅鋼片制造變壓器。它與S11系列變壓器相比，空載損耗下降60～70%，負(fù)載損耗下降5～15%，具有明顯的節(jié)能環(huán)保效益。非晶合金是將鐵、硼、硅、鎳、鈷和碳等為主的材料熔化后，采用快速急冷凝固工藝，使鋼液到金屬薄片一次成型。 　　其磁化功率小，從而能大幅度空載損耗和空載電流。低壓線(xiàn)圈采用箔式結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)產(chǎn)品的抗短路能力；采用Dyn11聯(lián)結(jié)，的影響，供電；鐵心及線(xiàn)圈采用特殊的夾持，并在重要部位加入特殊的襯墊，以機(jī)械應(yīng)力對(duì)鐵心損耗的影響，同時(shí)噪聲。 　　H-M-□/10能效系列非晶合金變壓器就是用非晶合金材料代替硅鋼片制造變壓器。它與S11系列變壓器相比，空載損耗下降60～70%，負(fù)載損耗下降5～15%，具有明顯的節(jié)能環(huán)保效益。非晶合金是將鐵、硼、硅、鎳、鈷和碳等為主的材料熔化后，采用快速急冷凝固工藝，使鋼液到金屬薄片一次成型。

　　本例采用第三種方法，即在驅(qū)動(dòng)變壓器的各繞組間加繞屏蔽層，其結(jié)構(gòu)如圖3所示，共5個(gè)繞組和5個(gè)屏蔽層。整個(gè)變壓器包括屏蔽層從左向右逐層繞制，N1接到控制回路的地;兩個(gè)下管驅(qū)動(dòng)繞組由于電位變化不大，同時(shí)與N2連接，實(shí)際上是接到了功率地;N3和N4將上管繞組NA包了起來(lái)，并與NA的異名端相接;N5將繞組ND與NA隔離。 　　這樣每個(gè)繞組都和它的屏蔽層同電位，它們之間不會(huì)有容性電流。當(dāng)上管TA導(dǎo)通、上管繞組NA的電位跳升時(shí)，屏蔽層N3和N4的電位也要同樣跳變，由于N2和N3之間的分布電容，這個(gè)跳變將在這兩個(gè)屏蔽層中間產(chǎn)生電流，但對(duì)管子的驅(qū)動(dòng)沒(méi)有影響，只是會(huì)耗損一點(diǎn)主功率。 　　在實(shí)際電路中采用了加電磁屏蔽的驅(qū)動(dòng)變壓器之后，問(wèn)題得到了全部解決。需要提出的是，屏蔽的作用是將各個(gè)繞組隔離開(kāi)，以避免分布電容的不良影響。因此屏蔽層接到什么地方，是需要慎重考慮的，否則可能適得其反。如果圖3中的NN4不與NA相接，而是與N2一起接到功率地，則電容分布如圖4所示，CC7分別表示繞組NA的上下端與屏蔽層N3間，也就是功率地間的分布電容(實(shí)際上CC7分別是包含了圖2中、C1后的等效電容)。 　　當(dāng)NA輸出正脈沖的上升沿時(shí)，TA迅速導(dǎo)通，M點(diǎn)電位跳升，于是CC7中要有容性電流產(chǎn)生。M是低阻抗點(diǎn)，電流iC7對(duì)它的電位影響不大，但N點(diǎn)卻是高阻抗點(diǎn)，iC6電流將降低它的電位，可能使TA管關(guān)斷。因此不能采用這種連接方式。