在退火或熱軋狀態(tài)下，隨含碳量的增加，鋼的強度和硬度升高，而塑性和沖擊韌性下降。焊接性和冷彎性變差。所以工程結(jié)構(gòu)用鋼，常限制含碳量.碳素鋼中的殘余元素和雜質(zhì)元素如錳、硅、鎳、磷、硫、氧、氮等，對碳素鋼的性能也有影響。這些影響有時互相加強，有時互相抵銷.硫、氧、氮都能增加鋼的熱脆性，而適量的錳可減少或部分抵銷其熱脆性.殘余元素除錳、鎳外都降低鋼的沖擊韌性，增加冷脆性.
除硫和氧降低強度外，其他雜質(zhì)元素均在不同程度上提高鋼的強度.幾乎所有的雜質(zhì)元素都能降低鋼的塑性和焊接性。氫在鋼中能造成很多嚴重缺陷，如產(chǎn)生白點、點狀偏析、氫脆、表面鼓泡和焊縫熱影響區(qū)內(nèi)的裂縫等。為保證鋼的質(zhì)量，必須盡可能降低鋼中氫的含量（見應(yīng)力腐蝕斷裂和氫脆）。
脫氧帶入的殘余元素如鋁，可減小低碳鋼的時效傾向，還可以細化晶粒，提高鋼在低溫下的韌性，但余量不宜過多。由爐料中帶入的殘余元素如鎳、鉻、鉬、銅等，含量高時可提高鋼的淬透性，但對要求具有高塑性的專用鋼，如深沖用鋼板，則是不利的.加工性能,碳素鋼大都采用氧氣轉(zhuǎn)爐和平爐冶煉，優(yōu)質(zhì)碳素鋼也采用電弧爐生產(chǎn)。
根據(jù)煉鋼過程脫氧程度的不同，碳素鋼可分為鎮(zhèn)靜鋼、沸騰鋼和介于兩者之間的半鎮(zhèn)靜鋼。冶煉方法對鋼的性能影響，主要是通過鋼的純凈度而起作用的。人們通過真空處理、爐外精煉和噴吹技術(shù)等，都可獲得更高純凈度的鋼，從而顯著改善了碳素鋼的品質(zhì)。碳素鋼的塑性加工工藝通常分熱加工和冷加工。
經(jīng)過熱加工，鋼錠中的小氣泡、疏松等缺陷被焊合起來，使鋼的組織致密。同時，熱加工可破壞鑄態(tài)組織、細化晶粒。使鍛軋的鋼材比鑄態(tài)具有更好的力學性能。經(jīng)冷加工的鋼，隨著冷塑性變形程度增大，強度和硬度增加，塑性和韌性降低。為提高成材率，廣泛應(yīng)用連續(xù)鑄鋼工藝。不銹鋼管和不銹鋼復合管的區(qū)別.
不銹鋼復合管：材質(zhì)為鐵管，外面包裹著不銹鋼層，比較堅固，管口封閉良好的情況下可保證其防銹期限與純不銹鋼無異。不銹鋼管：整個管都為不銹鋼的較輕，承重能力沒有復合管好，但是不容易生銹，不銹鋼材質(zhì)又分好幾種200，201，300，301，304等，市場上一般為201材質(zhì)，304的效果，其次301。
不銹鋼復合管護欄、不銹鋼護欄技術(shù)特點 經(jīng)過不同的拋光工藝，形成鏡光、亞光、拉絲表面等現(xiàn)代工業(yè)化加工的裝飾效果不銹鋼復合管欄桿，而且不銹鋼在冷加工、熱加工、焊接等方面都具有良好的物理性能。高端的不銹鋼護欄構(gòu)配件采用的是不銹鋼材質(zhì)制作，有著的機械性能和優(yōu)越的耐腐蝕性能，使得產(chǎn)品具有良好的抗水平荷載性能、抗垂直荷載性能、抗軟重物撞擊性能.雙金屬復合管有哪些優(yōu)勢？

不銹鋼復合管欄桿主要用于橋梁、公路建設(shè)中的護欄，該欄桿的主要優(yōu)點如下：不生垢、耐腐蝕。由于鋼中含有18%的鉻，在使用過程中管道內(nèi)壁形成一層極薄的氧化鉻薄膜，該薄膜阻止金屬繼續(xù)氧化，故不銹鋼復合管欄桿有很強的耐腐蝕性能，不僅能承受水和空氣的腐蝕，而且可以承受弱酸弱堿的腐蝕.低溫脆性好，膨脹系數(shù)小.一般采用焊接 螺栓的方式進行連接。
從形式上看，欄桿可分為節(jié)間式與連續(xù)式兩種。前者由立柱，扶手及橫擋組成，扶手支撐于立柱上；后者具有連續(xù)的扶手，由扶手，欄桿柱及底座組成。常見種類有：木制欄桿、石欄桿、不銹鋼欄桿、鑄鐵欄桿、鑄造石欄桿、水泥欄桿、組合式欄桿。一般低欄高0.2～0.3米，中欄0．8～0．9米，高欄1．1～1.3米。欄桿柱的間矩一般為0.5～2米。
化學成分不銹鋼不銹鋼的耐蝕性隨含碳量的增加而降低，因此，大多數(shù)不銹鋼的含碳量均較低，不超過1.2%，有些鋼的Wc（含碳量）甚至低0.03%（00Cr12）。不銹鋼中的主要合金元素是Cr（鉻），只有當Cr含量達到一定值時，鋼才有耐蝕性。因此，不銹鋼一般Cr（鉻）含量至少為10.5%。不銹鋼中還含有Ni、Ti、Mn、N、Nb、Mo、Si、Cu等元素。
不銹鋼的耐蝕性隨含碳量的增加而降低，因此，大多數(shù)不銹鋼的含碳量均較低，不超過1.2%，有些鋼的Wc（含碳量）甚至低于0.03%（如00Cr12）。不銹鋼中的主要合金元素是Cr（鉻），只有當Cr含量達到一定值時，鋼才有耐蝕性。因此，不銹鋼一般Cr（鉻）含量至少為10.5%。不銹鋼中還含有Ni、Ti、Mn、N、Nb、Mo、Si、Cu等元素。

雙金屬復合耐磨管具有很好的電學性質(zhì)和均勻性,測試結(jié)果表明雙金屬復合耐磨管具有很好的電學性質(zhì)和均勻性 ,而 PP- SI的均勻性和電學參數(shù)都很差 .在 IP- SI樣品的 PL譜中出現(xiàn)與深缺陷有關(guān)的熒光峰.光激電流譜的測量結(jié)果表明 :在 IP氣氛下退火獲得的半絕緣磷化銦中的缺陷明顯比 PP- SI磷化銦的要少 .并對退火后磷化銦中形成缺陷的機理進行了探討分析研究了一些缺陷對InP單晶襯底的影響。