不銹鋼為什么也會(huì)生銹？不銹鋼不易生銹？不銹鋼復(fù)合管的外皮是不銹鋼，為什么不銹鋼會(huì)生銹呢？當(dāng)不銹鋼表面出現(xiàn)褐色銹斑（點(diǎn)）的時(shí)候，人們大感驚奇：認(rèn)為“不銹鋼不會(huì)生銹的，生銹就不是不銹鋼了，可能是鋼質(zhì)出了問題”。其實(shí)，這是對(duì)不銹鋼缺乏了解的一種片面的錯(cuò)誤看法。不銹鋼在一定條件下也會(huì)生銹的.
不銹鋼具有抵抗大氣氧化的能力一即不銹性，同時(shí)也具有在含酸、堿、鹽的介質(zhì)中耐腐蝕的能力即耐腐蝕性。但其抗腐蝕能力的大小是隨其鋼質(zhì)本身化學(xué)組成，相互狀態(tài)，使用條件及環(huán)境介質(zhì)類型而改變的。如304材料，在干燥清潔的大氣中，有優(yōu)良的抗腐蝕能力，但將它移到海濱地區(qū)，在含有大量鹽分的海霧中，很快就會(huì)生銹的。
因此，不是任何一種不銹鋼，在任何時(shí)候都能耐腐蝕，不生銹的。不銹鋼是靠其表面形成的一層極薄而又堅(jiān)固細(xì)密的穩(wěn)定的富鉻氧化膜（防護(hù)膜），防止氧原子繼續(xù)滲入、繼續(xù)氧化，數(shù)控而獲得抗腐蝕的能力。一但有某種原因，這種薄膜遭到不斷的破壞，空氣或液體中和氧原子就會(huì)不斷滲入或金屬中鐵原子不斷地析離出來，形成疏松的氧化鐵，金屬表面也就受到不斷的銹蝕。
這種表面膜受到破壞的形式很多，日常生活中多見的有如下幾種：不銹鋼表面存積蓄含有其它金屬元素的粉塵或異類金屬顆料的附著物，在潮濕的空氣中，附著物與不銹鋼間的冷凝水，將二者連成一個(gè)電池，引發(fā)了電化學(xué)反應(yīng)，保護(hù)膜受到破壞，稱之謂電化學(xué)腐蝕。 不銹鋼表面粘附著有機(jī)物汁液（如瓜菜、面湯痰等），在有水氧情況下，構(gòu)成有機(jī)酸，長(zhǎng)時(shí)間則形成有機(jī)酸對(duì)金屬表面的腐蝕。
不銹鋼表面粘附含有酸、堿、鹽類物質(zhì)（如裝修墻壁的堿水、石灰水噴測(cè)）引起局部腐蝕。 在有污染的空氣中（含有大量的硫化物、氧化物、氧化氫的大氣），遇冷凝水，形成硫酸、硝酸、醋酸液點(diǎn)，引起化學(xué)腐蝕。不銹鋼復(fù)合管護(hù)欄具有特殊性能如耐蝕性，耐熱性，耐磨損性兩個(gè)包層的材料，并在基層與結(jié)構(gòu)強(qiáng)度和剛度要求。

不銹鋼復(fù)合管欄桿主要用于橋梁、公路建設(shè)中的護(hù)欄，該欄桿的主要優(yōu)點(diǎn)如下：不生垢、耐腐蝕。由于鋼中含有18%的鉻，在使用過程中管道內(nèi)壁形成一層極薄的氧化鉻薄膜，該薄膜阻止金屬繼續(xù)氧化，故不銹鋼復(fù)合管欄桿有很強(qiáng)的耐腐蝕性能，不僅能承受水和空氣的腐蝕，而且可以承受弱酸弱堿的腐蝕.低溫脆性好，膨脹系數(shù)小.一般采用焊接 螺栓的方式進(jìn)行連接。
從形式上看，欄桿可分為節(jié)間式與連續(xù)式兩種。前者由立柱，扶手及橫擋組成，扶手支撐于立柱上；后者具有連續(xù)的扶手，由扶手，欄桿柱及底座組成。常見種類有：木制欄桿、石欄桿、不銹鋼欄桿、鑄鐵欄桿、鑄造石欄桿、水泥欄桿、組合式欄桿。一般低欄高0.2～0.3米，中欄0．8～0．9米，高欄1．1～1.3米。欄桿柱的間矩一般為0.5～2米。
化學(xué)成分不銹鋼不銹鋼的耐蝕性隨含碳量的增加而降低，因此，大多數(shù)不銹鋼的含碳量均較低，不超過1.2%，有些鋼的Wc（含碳量）甚至低0.03%（00Cr12）。不銹鋼中的主要合金元素是Cr（鉻），只有當(dāng)Cr含量達(dá)到一定值時(shí)，鋼才有耐蝕性。因此，不銹鋼一般Cr（鉻）含量至少為10.5%。不銹鋼中還含有Ni、Ti、Mn、N、Nb、Mo、Si、Cu等元素。
不銹鋼的耐蝕性隨含碳量的增加而降低，因此，大多數(shù)不銹鋼的含碳量均較低，不超過1.2%，有些鋼的Wc（含碳量）甚至低于0.03%（如00Cr12）。不銹鋼中的主要合金元素是Cr（鉻），只有當(dāng)Cr含量達(dá)到一定值時(shí)，鋼才有耐蝕性。因此，不銹鋼一般Cr（鉻）含量至少為10.5%。不銹鋼中還含有Ni、Ti、Mn、N、Nb、Mo、Si、Cu等元素。

雙金屬?gòu)?fù)合耐磨管具有很好的電學(xué)性質(zhì)和均勻性,測(cè)試結(jié)果表明雙金屬?gòu)?fù)合耐磨管具有很好的電學(xué)性質(zhì)和均勻性 ,而 PP- SI的均勻性和電學(xué)參數(shù)都很差 .在 IP- SI樣品的 PL譜中出現(xiàn)與深缺陷有關(guān)的熒光峰.光激電流譜的測(cè)量結(jié)果表明 :在 IP氣氛下退火獲得的半絕緣磷化銦中的缺陷明顯比 PP- SI磷化銦的要少 .并對(duì)退火后磷化銦中形成缺陷的機(jī)理進(jìn)行了探討分析研究了一些缺陷對(duì)InP單晶襯底的影響。