不銹鋼復合管復合管的首要原則就是穩(wěn)定和。不銹鋼復合管復合管碼垛的下邊應(yīng)該做好保護，是鋪上木材做成的底座，避免讓鋼管直接接觸地面，除了可以起到保護作用，避免長期對方使下層的鋼管變形，還能夠防止地上的積水對鋼管產(chǎn)生腐蝕。不銹鋼復合管復合管碼放的高度不應(yīng)該過高，否則很容易增加危險.
同時也容易對下層的鋼管形成更大的壓力，從而導致變形的產(chǎn)生。不銹鋼復合管的廣泛應(yīng)用，不銹鋼復合管的優(yōu)勢跟不銹鋼管差不多，但是價格比不銹鋼管低了不少，這樣就大大縮短了工程的成本。不銹鋼復合管作為一個純豪華和優(yōu)雅的外觀和普通具有碳鋼管高強度的特點,其價格低于純不銹鋼管,不銹鋼復合管可以替代不銹鋼裝飾管高價格產(chǎn)品選擇。
不銹鋼復合管被廣泛用于市政公共工程施工、鋼結(jié)構(gòu)、空間框架建設(shè)、石油化工、市政設(shè)施、橋梁護欄、公路交通工程施工項目，建筑裝飾工程施工、體育設(shè)施工程施工交通格柵、鐵路車輛、建筑裝飾、路燈、停止、運輸、鋼結(jié)構(gòu)架、家具制造.、城市管網(wǎng)、石油天然氣傳輸、摩托車保險杠、干燥機、自行車車把等。不銹鋼復合管成品規(guī)格.從9.5毫米- 219毫米,壁厚從0.5 mm - 18.0 mm,表面亮度可以達到320#—600#。不銹鋼復合管的應(yīng)用及生產(chǎn)方法，作為機械工程結(jié)構(gòu)用鋼管，從設(shè)計制作結(jié)合成一體從而使它具有綜合特性的價廉物美的新型鋼管。由于不銹鋼復合管具有優(yōu)良的綜合性能，因此自六十年代起，日、美、德、英和前蘇聯(lián)等都很重視不銹鋼復合管的開發(fā)及使用.
從生產(chǎn)工藝、使用性能、檢驗方法等面進行了大量的研究，從而使復合鋼管產(chǎn)品在能源、造船、化工、石油和機械等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。 不銹鋼復合管的兩種單層材料的組合方式完全取決于使用要求及其環(huán)境特征，基本原則是：作為基層鋼管，它應(yīng)具有較高的強度和剛性，價格便宜，工藝性能好。
作為復蓋層則應(yīng)具有抗環(huán)境介質(zhì)的腐蝕或者抗磨損能力，該復蓋層可以復合在基層管的內(nèi)層(內(nèi)復合管)，也可以復合在其外層(外復合管)。不銹鋼復合管按使用性質(zhì)可分為化工用液體和使用考慮，要求其材料的機械物理化學等綜合性能優(yōu)良。從經(jīng)濟效益考慮，又希望材料的使用壽命長，價格便宜。

不銹鋼復合管欄桿主要用于橋梁、公路建設(shè)中的護欄，該欄桿的主要優(yōu)點如下：不生垢、耐腐蝕。由于鋼中含有18%的鉻，在使用過程中管道內(nèi)壁形成一層極薄的氧化鉻薄膜，該薄膜阻止金屬繼續(xù)氧化，故不銹鋼復合管欄桿有很強的耐腐蝕性能，不僅能承受水和空氣的腐蝕，而且可以承受弱酸弱堿的腐蝕.低溫脆性好，膨脹系數(shù)小.一般采用焊接 螺栓的方式進行連接。
從形式上看，欄桿可分為節(jié)間式與連續(xù)式兩種。前者由立柱，扶手及橫擋組成，扶手支撐于立柱上；后者具有連續(xù)的扶手，由扶手，欄桿柱及底座組成。常見種類有：木制欄桿、石欄桿、不銹鋼欄桿、鑄鐵欄桿、鑄造石欄桿、水泥欄桿、組合式欄桿。一般低欄高0.2～0.3米，中欄0．8～0．9米，高欄1．1～1.3米。欄桿柱的間矩一般為0.5～2米。
化學成分不銹鋼不銹鋼的耐蝕性隨含碳量的增加而降低，因此，大多數(shù)不銹鋼的含碳量均較低，不超過1.2%，有些鋼的Wc（含碳量）甚至低0.03%（00Cr12）。不銹鋼中的主要合金元素是Cr（鉻），只有當Cr含量達到一定值時，鋼才有耐蝕性。因此，不銹鋼一般Cr（鉻）含量至少為10.5%。不銹鋼中還含有Ni、Ti、Mn、N、Nb、Mo、Si、Cu等元素。
不銹鋼的耐蝕性隨含碳量的增加而降低，因此，大多數(shù)不銹鋼的含碳量均較低，不超過1.2%，有些鋼的Wc（含碳量）甚至低于0.03%（如00Cr12）。不銹鋼中的主要合金元素是Cr（鉻），只有當Cr含量達到一定值時，鋼才有耐蝕性。因此，不銹鋼一般Cr（鉻）含量至少為10.5%。不銹鋼中還含有Ni、Ti、Mn、N、Nb、Mo、Si、Cu等元素。

雙金屬復合耐磨管具有很好的電學性質(zhì)和均勻性,測試結(jié)果表明雙金屬復合耐磨管具有很好的電學性質(zhì)和均勻性 ,而 PP- SI的均勻性和電學參數(shù)都很差 .在 IP- SI樣品的 PL譜中出現(xiàn)與深缺陷有關(guān)的熒光峰.光激電流譜的測量結(jié)果表明 :在 IP氣氛下退火獲得的半絕緣磷化銦中的缺陷明顯比 PP- SI磷化銦的要少 .并對退火后磷化銦中形成缺陷的機理進行了探討分析研究了一些缺陷對InP單晶襯底的影響。