不銹鋼復合鋼管不僅具有不銹鋼的耐腐蝕性、又具有碳鋼良好的機械強度和加工性能，是新型的工業(yè)產(chǎn)品，廣泛用于石油、化工、鹽業(yè)、水利電力、食品加工等行業(yè)。不銹鋼復合鋼管和同類產(chǎn)品相比結(jié)合強度更高、質(zhì)量更可靠、性能更穩(wěn)定、結(jié)構更完美的新一代綠色環(huán)保型產(chǎn)品。而且不銹鋼復合鋼管有著很優(yōu)異的性能：良好的機械性能;超高的結(jié)合強度。
防銹耐腐蝕性好;四、耐溫性能佳，耐溫范圍-40～150℃，冷熱兩用。雙金屬復合耐磨管具有很好的電學性質(zhì)和均勻性，測試結(jié)果表明雙金屬復合耐磨管具有很好的電學性質(zhì)和均勻性 ,而 PP- SI的均勻性和電學參數(shù)都很差 .在 IP- SI樣品的 PL譜中出現(xiàn)與深缺陷有關的熒光峰.光激電流譜的測量結(jié)果表明 :在 IP氣氛下退火獲得的半絕緣磷化銦中的缺陷明顯比 PP- SI磷化銦的要少 .
并對退火后磷化銦中形成缺陷的機理進行了探討分析研究了一些缺陷對InP單晶襯底的影響。 深能級瞬態(tài)譜(DLTS),X射線衍射等方法分別研究了退火前后雙金屬復合耐磨管材料的性質(zhì)和缺陷.結(jié)果表明受高溫熱激發(fā)作用部分鐵原子由替位轉(zhuǎn)變?yōu)樘钕?導致InP材料缺少深能級補償中心而發(fā)生導電類型轉(zhuǎn)變.通過比較摻雜.
擴散和離子注入過程Fe原子的占位和情況分析了這一現(xiàn)象的機理和產(chǎn)生原因. 包括雙金屬復合耐磨管團狀結(jié)構位錯的產(chǎn)生及其對晶格完整性的影響,坑狀缺陷、晶片拋光損傷和殘留雜質(zhì)的清洗腐蝕等.對雙金屬復合耐磨管缺陷的形成原因和抑制途徑進行了分析.在此基礎上獲得了“開盒即用(EPI-READY)”、具有良好晶格完整性、表面無損傷的InP單晶襯底拋光片.高溫退火后摻鐵半絕緣(SI)InP單晶轉(zhuǎn)變?yōu)閚型低阻材料.利用霍爾效應(Hall),熱激電流譜(TSC)。
不銹鋼復合鋼管是以碳鋼基層與不銹鋼覆層結(jié)合而成的復合板鋼板,它的主要特點是碳鋼和不銹鋼形成牢固的冶金結(jié)合,可以進行熱壓、冷彎、切割、焊接等各種加工。不銹鋼復合鋼管不僅具有不銹鋼的耐腐蝕性、又具有碳鋼良好的機械強度和加工性能，是新型的工業(yè)產(chǎn)品，廣泛用于石油、化工、鹽業(yè)、水利電力、食品加工等行業(yè)。
不銹鋼復合鋼管和同類產(chǎn)品相比結(jié)合強度更高、質(zhì)量更可靠、性能更穩(wěn)定、結(jié)構更完美的新一代綠色環(huán)保型產(chǎn)品。浸漬法預處理：為使氧化皮松動，直接采用下列強酸。浸漬預處理：為防止酸對基體金屬的溶解，要嚴格控制酸浸時間和酸液溫度。電化學法：利用電化學溶解及電極上析出氣泡的機械作用剝離氧化皮。其優(yōu)點是腐蝕性較小，速度快。

不銹鋼復合管欄桿主要用于橋梁、公路建設中的護欄，該欄桿的主要優(yōu)點如下：不生垢、耐腐蝕。由于鋼中含有18%的鉻，在使用過程中管道內(nèi)壁形成一層極薄的氧化鉻薄膜，該薄膜阻止金屬繼續(xù)氧化，故不銹鋼復合管欄桿有很強的耐腐蝕性能，不僅能承受水和空氣的腐蝕，而且可以承受弱酸弱堿的腐蝕.低溫脆性好，膨脹系數(shù)小.一般采用焊接 螺栓的方式進行連接。
從形式上看，欄桿可分為節(jié)間式與連續(xù)式兩種。前者由立柱，扶手及橫擋組成，扶手支撐于立柱上；后者具有連續(xù)的扶手，由扶手，欄桿柱及底座組成。常見種類有：木制欄桿、石欄桿、不銹鋼欄桿、鑄鐵欄桿、鑄造石欄桿、水泥欄桿、組合式欄桿。一般低欄高0.2～0.3米，中欄0．8～0．9米，高欄1．1～1.3米。欄桿柱的間矩一般為0.5～2米。
化學成分不銹鋼不銹鋼的耐蝕性隨含碳量的增加而降低，因此，大多數(shù)不銹鋼的含碳量均較低，不超過1.2%，有些鋼的Wc（含碳量）甚至低0.03%（00Cr12）。不銹鋼中的主要合金元素是Cr（鉻），只有當Cr含量達到一定值時，鋼才有耐蝕性。因此，不銹鋼一般Cr（鉻）含量至少為10.5%。不銹鋼中還含有Ni、Ti、Mn、N、Nb、Mo、Si、Cu等元素。
不銹鋼的耐蝕性隨含碳量的增加而降低，因此，大多數(shù)不銹鋼的含碳量均較低，不超過1.2%，有些鋼的Wc（含碳量）甚至低于0.03%（如00Cr12）。不銹鋼中的主要合金元素是Cr（鉻），只有當Cr含量達到一定值時，鋼才有耐蝕性。因此，不銹鋼一般Cr（鉻）含量至少為10.5%。不銹鋼中還含有Ni、Ti、Mn、N、Nb、Mo、Si、Cu等元素。

雙金屬復合耐磨管具有很好的電學性質(zhì)和均勻性,測試結(jié)果表明雙金屬復合耐磨管具有很好的電學性質(zhì)和均勻性 ,而 PP- SI的均勻性和電學參數(shù)都很差 .在 IP- SI樣品的 PL譜中出現(xiàn)與深缺陷有關的熒光峰.光激電流譜的測量結(jié)果表明 :在 IP氣氛下退火獲得的半絕緣磷化銦中的缺陷明顯比 PP- SI磷化銦的要少 .并對退火后磷化銦中形成缺陷的機理進行了探討分析研究了一些缺陷對InP單晶襯底的影響。